घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलTP65H070LDG-TR
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TP65H070LDG-TR

Mfr# TP65H070LDG-TR
Mfr. Transphorm
विवरण 650 V 25 A GAN FET
RoHs स्थिति
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डाटा शीट

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विवरण

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उत्पाद पैरामीटर

भाग संख्या TP65H070LDG-TR
उत्पादक Transphorm
विवरण 650 V 25 A GAN FET
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
उपलब्ध मात्रा 1224 pcs
डाटा शीट
शेल का आकार - डालें 3-PowerDFN
संवेदनशीलता (एमवी / डिग्री / एस) 4.8V @ 700µA
प्रतिरोध (ओम) 9.3 nC @ 10 V
रियर पैनल तार कनेक्शन 96W (Tc)
रेटिंग TP65H070L
पावर (वाट) ±20V
बाहरी व्यास 25A (Tc)
किट सामग्री 10V
सम्मिलन हानि @ फ़्रिक्वेंसी N-Channel
हिस्टैरिसीस 3-PQFN (8x8)
गेट प्रकार -
फ्रंट पैनल तार कनेक्शन 85mOhm @ 16A, 10V
गर्भनाल समाप्ति GaNFET (Gallium Nitride)
रंग - बढ़ी -55°C ~ 150°C (TJ)
रंग - Actuator / कैप 650 V
एक्सिस 600 pF @ 400 V
Actuator लंबाई, सही कोण Surface Mount

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