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MURT20010

Mfr# MURT20010
Mfr. GeneSiC Semiconductor
विवरण DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
RoHs स्थिति RoHS कॉम्प्लाइंट
अधिक जानकारी GeneSiC Semiconductor MURT20010 के बारे में अधिक जानकारी दें
डाटा शीट MURT20010.pdf

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भाग संख्या MURT20010
उत्पादक GeneSiC Semiconductor
विवरण DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस RoHS कॉम्प्लाइंट
उपलब्ध मात्रा 0 pcs
डाटा शीट MURT20010.pdf
तापमान -55°C ~ 150°C
आपूर्ति आयरन, ट्वीनर, हैंडल 1.3 V @ 100 A
शेल का आकार - डालें Three Tower
रोटर जड़ता 25 µA @ 50 V
रेटिंग -
न्यूनतम लोड आवश्यक 1 Pair Common Cathode
बढ़ाई रेंज 100A
लंबाई - कुंडल विस्तारित Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
हिस्टैरिसीस Three Tower
गर्भनाल समाप्ति Standard
कंडक्टर सामग्री 75 ns
कार्ड पढ़ने दिशा 100 V
Actuator लंबाई, सही कोण Chassis Mount

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